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    公开号:WO1989003587A1
    申请号:PCT/JP1988/001043
    申请日:1988-10-14
    公开日:1989-04-20
    发明作者:Yukio Kohmura；Yoshinori Ishida；Takuya Nishimoto
    申请人:The Furukawa Electric Co., Ltd.；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    [0001] 明
    [0002] 発明 の名称
    [0003] プ ラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成方法及びそ の装
    [0004] 技術分野
    [0005] 本発明 は、 プラ ズマ C V D (Chemical Vapor Deposition) 法に ょ り 、 基板上 に薄膜を形成す る プラ ズマ C V D に ょ る 薄 膜形成方法及びそ の装置 に関す る 。
    [0006] (背景技術 )
    [0007] 従来、 プ ラ ズマ に ょ っ て基扳 に処理を施すプラ ズマ発生 装置 と し て、 特願昭 6 0 - 1 7 9 5 7 8号 (米国特許出願
    [0008] 6 9 2 1 4 5 号） が開示 さ れて ぃ る 0 こ の プ ラ ズマ C V D装 置で は、 実質的 に均ーな プラ ズマ を発生 さ せ る た め に、 基板 の夫 々 の主平面は電気的 に導電部分を持 っ て ぃ る 。 ま た、 基 板の何れかの 1 主平 ¾1に > 互 に対向 し た関係で 2 個 の電極が 配置 さ れて ぃ o た、 第 1 の無線周波数 (以下高周波 と ぃ ぅ ） 電源が第 1 の電極 に電気的 に接続 さ れ、 第 2 の高周波電 源が第 2 の電極 に電気的 に接続 さ れて ぃ る 。 ま た、 第 1 及 び 第 2 高周波電源は互 に位相がずれてぃ る 。
    [0009] し カ、 し な カ《 ら 、 こ の ょ ぅ な プラ ズマ C V D装置 に ょ っ て も 依然、 基板に堅 く 、 緻密な膜で耐食性、 耐摩耗性に優れた 薄膜を容易 に形成で き な か っ た
    [0010] 発明 の開示
    [0011] 本発明 の 目 的 は、 基扳に堅 く 緻密な膜で耐食性 · 耐摩耗 性に優れた薄膜を容易 に形成す る こ と がで き る プ ラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成方法及びその装置を提供す る こ と に ぁ る
    [0012] すな ゎ ち 、 本発明 は、 真空反応容器内に所定間隔を設け て相互に向 ぃ合せに対設さ れた原料ガス流出電極間 に、 被処 理体を設置す る ェ程 と 、
    [0013] 前記原料ガス流出電極か ら前記披処理体に原料ガス を流 出 さ せっっ、 前記原料ガス 流出電極を接地 し て前記被処理体 に所定の高周波電カを印加す る ェ程と、
    [0014] 前記高周波電カ に ょ っ て前記原料ガス か ら発生 し た プラ ズマ に ょ り 前記被処理体に薄膜を形成す る ェ程 と 、
    [0015] を具備す る プ ラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成方法でぁ る 。 ま た、 本発明 は、 真空反応容器内 に所定間隔を設けて相 互に 向 ぃ合せに原料ガス流出電極が対設 さ れ、 かっ、 該原料 ガス流出電極間の空間領域に所定間隔を設けて対設さ れた通 電電極の対の 間の領域に被処理体を設置す る ェ程 と 、
    [0016] 前記原料ガス流出電極か ら前記被処理体に原料ガス を流 出 さ せっっ、 前記原料ガス流出電極を接地 し て前記通電電極 に所定の高周波電カを印加す るェ程 と 、
    [0017] 前記高周波電カ に ょ っ て前記原料ガスか ら 発生 し た プラ ズマ に ょ り 前記被処理体に薄膜を形成す る ェ程 と 、
    [0018] を具備す る プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成方法でぁ る 。 ま た、 本発明 は、 真空反応容器内 に所定間隔を設け て相 互に 向 ぃ合せに対設 さ れた原料ガス流出電極と 、
    [0019] 該原料ガス流出電極に接続 さ れた原料ガス流出手段 と 、 該原料ガス流出手段間の所定位置 に設置 さ れ る 被処理体 を支持す る 支持手段 と 、
    [0020] 前記原料ガス流出手段を接地 し て前記被処理体 に所定の 高周波電カ を印加す る 高周波電カ 印加手段 と 、
    [0021] を具備す る プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成装置でぁ る 。 ま た、 本発明 は、 真空反応容器内 に所定間隔を設け て相 互 に 向 ぃ合せ に対設 さ れた原料ガス 流出手段 と 、
    [0022] 該原料ガス流出電極に接続 さ れた原料ガス流出手段 と 、 該原料ガス 流出電極間の所定位置 に設置 さ れ る 被処理体 を支持す る 支持手段 と 、
    [0023] 前記原料ガス流出電極を接地 し て前記被処理体 に所定の 高周波電カを印加す る 高周波電カ 印加手段 と 、
    [0024] 該被処理体の厚み に略等 し ぃ厚みを有 し て該被処理体の 中心孔 に嵌合 さ れ る 嵌合円扳 と 、
    [0025] 該嵌合円扳の外周部 に組込 ま れて該嵌合円扳を前記被処 理体に支持 さ せ る 拡径係止手段 と か ら な る ィ ン ナ ー ヮ 一 ク ホ ルダー と 、
    [0026] を具備す る プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成装置でぁ る 。 更に 、 本発明 は、 真空反応容器内 に所定間隔 を設 け て相 互に 向 ぃ合せに対設 さ れた原料ガス 流出電極 と 、
    [0027] 該原料ガス 流出電極 に接続 さ れた原料ガ ス流出手段 と 、 該原料ガ ス流出電極間 の所定位置 に 設置 さ れ る 被処理体 を支持す る 支持手段 と 、
    [0028] 前記原料ガス流出電極を接地 し て前記被処理体 に所定の 高周波電カを印加す る 高周波電カ印加手段 と 、
    [0029] 前'記被処理体の外周 に沿 っ た部分に前記被処理体の厚み に ほぼ等 し ぃ厚みの均一肉厚部分が当接 し、 かっ、 前記被処 理体の両面を露出 さ せた状態で該被処理体を支持す る環状の ァ ゥ 夕 ー ヮ ー ク ホ ルダー本体 と 、
    [0030] を具備す る プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成装置でぁ る 。 こ こ で、 本発明 の プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成方法及 びそ の装置で は、 原料ガス流出電極を 3 個以上 と し、 隣 り 合 ぅ 原料ガス流出電極間 に被処理体を設置す る ょ ぅ に し て も 良 い 0
    [0031] ま た、 原料ガス は、 夫々 の原料ガス流出電極の対向面に 形成 さ れた多数個の原料ガス流出孔か ら 流出 さ せ る のが望ま し い。
    [0032] ま た、 被処理体 と し て は、 磁気デ ィ ス ク 素材等を使用す る こ と がで き る 。
    [0033] ま た、 原料ガス流出電極間 に、 通電電極を配置 し、 原料 ガス流出電極を接地 し て通電電極に所定の高周波電カ を印加 す る ょ ぅ に し て も 良ぃ。 こ の場合、 通電電極 と し て例ぇばメ ッ シ ュ 電極を使用す る こ と がで き る 。
    [0034] ま た、 被処理体の厚みに略等 し ぃ厚みを有 し て被処理体 の 中心孔に嵌合す る 嵌合円扳 と 、 嵌合円扳を被処理体に支持 さ せ る 拡径係止手段 と か ら な る ィ ン ナ一 ヮ 一 ク ホ ルダ一 を使 甩 し て も良ぃ。 こ の場合、 拡径係止手段 と し ては、 バネ圧 に ょ っ て嵌合円板を被処理体に さ せ る も の を使用す る こ と がで さ る · o
    [0035] ま た、 被処理体の外周 に沿 っ た部分 に被処理体の厚み に ほぼ等 し ぃ厚み の均一肉厚部分が当接 し 、 かっ 、 被処理体の 両面を露出 さ せた状態で支持す る 環状ァ ゥ 夕 一 ヮ 一 ク ホ ノレダ ー本体を使用 し て も 良ぃ。
    [0036] 本発明 の プ ラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成方法及びそ の装 置 に ょ れば、 プラ ズマ 中で両原料ガス流出電極か ら 原料ガス を供給 し て活性化 さ せ、 こ の状態で被処理体 に成膜を行 ぅ 。 こ の た め、 被処理体に堅 く 緻密な膜で耐食性 · 耐摩耗性 に優 れた薄膜を容易 に形成で き る も の でぁ る 。
    [0037] 図面の簡単な説明
    [0038] F i g . 1 は、 本発明 の実施例 1 プ ラ ズマ C V D装置 の 構成を示す説明図、
    [0039] F i g . 2 は、 実施例 1 の プラ ズマ C V D装置 に て用 ぃ る 原料ガス 流出電極の正面図、
    [0040] F i g . 3 は 、 実施例 1 の プラ ズマ C V D装置の電気系 統の構成を示す説明図、
    [0041] F i g . 4 は 、 実施例 2 の プラ ズマ C V D装置 の構成を 示す説明 図、
    [0042] F i g . 5 は、 実施例 2 の ラ ズマ C V D装置 に用 ぃ る メ ッ シ ュ 電極の正面図、
    [0043] F i g . 6 は、 実施例 3 の プラ ズマ C V D装置の構成を 示す説明 図、
    [0044] F i . 7 は 、 実施例 3 の プ ラ ズマ C V D装置 に て用 ぃ る ィ ン ナー ヮ 一 ク ホルダー の縦断面図、
    [0045] F i g . 8 は、 同 ィ ン ナ 一 ヮ 一 ク ホノレダ一 の正面図、 F i g . 9 は、 第 9 図の X — X線に沿 ぅ 断面図、
    [0046] F i g . 1 0 は、 同ィ ン ナー ヮ ー ク ホ ルダ一 にて用 ぃ る リ ン グ状バネの正面図、
    [0047] F i s . 1 1 は、 他の ィ ン ナー ヮ 一 ク ホ ルダー の縱断面 図、
    [0048] F I g . 1 2 は、 他の ィ ン ナー ヮ ー ク ホ ノレダー に て用 ぃ る 他の リ ン グ状バネ の斜視図、
    [0049] F g は、 他の ィ ン ナー ヮ ー ク ホ ルダ一 の縦断面
    [0050] F g 4 は、 同他の ィ ン ナ ー ヮ ー ク ホ ノレダー の 冃 図
    [0051] F g . 1 5 は、 ィ ン ナー ヮ ー ク ホ ノレダーを使用 し な ぃ プラ ズマ C V D装置で形成 し た薄膜の膜厚分布を示す特性図 F i g . 1 6 は、 ィ ン ナ ー ヮ ー ク ホ ノレダー を使用 し た プ ラ ズマ C V D装置で形成 し た薄膜の膜厚分布を示す特性図、
    [0052] F i g . 1 7 ( A ) は、 実施例 4 の プラ ズマ C V D装置 に て用 ぃ る ァ ゥ タ ー ヮ ー ク ホ ノレダー の分解 し た状態を示す正 面図、
    [0053] F i . 1 7 ( B ) は、 同ァ ゥ タ ー ヮ ー ク ホ ノレダ一 の下 側の半 リ ン グ部の側端面図、
    [0054] F i . 1 7 ( C ) は、 F i g . 1 7 B の B 部を拡大 し て示す拡大図、 F i g . 1 7 ( D ) は、 同 ァ ゥ 夕 一 ヮ ー ク ホ ノレダー上半 部の右側面図、
    [0055] F i g . 1 7 ( E ) は、 同ァ ゥ 夕 ー ヮ ー ク ホ ルダー の下 半部の右側面図、
    [0056] F i g . 1 8 は、 同ァ ゥ タ ー ヮ ー ク ホ ルダー本体の均一 肉厚部分の範囲 と 基扳の周縁部の膜厚変化 と の関係を示す特 性図、
    [0057] F i g . 1 9 は、 同ァ ゥ タ 一 ヮ ー ク ホ ノレダー本体の均一 肉厚部分の 肉厚 と 基扳の周縁部の膜厚変化 と の関係を示す特 性図、
    [0058] F i g . 2 0 は、 実施例 5 の プラ ズマ C V D装置の構成 を示す断面図、
    [0059] F i g . 2 1 は、 同 プラ ズマ C V D装置 に使用す る 両面 型の原料ガス 流出電極の断面図、
    [0060] F i g . 2 2 は、 同 プラ ズマ C V D装置 に使用 す る 各原 料ガス流出電極の正面図、
    [0061] F i g . 2 3 は、 同 プラ ズマ C V D装置 に使用す る 基板 ホ ルダー及びそ の台車の正面図、
    [0062] F i . 2 4 は、 他の プラ ズマ C V D装置の構成を示す 説明 図、
    [0063] F i g . 2 5 は、 ィ ン ナ ー ヮ 一 ク ホ ノレダー と ァ ゥ タ ー ヮ ー ク 'ホ ルダー を用 ぃ た プラ ズマ C V D装置で形成 し た薄膜の 膜厚 と 成膜時間の 関係を示す特性図でぁ る 。
    [0064] 発明 を実施す る た め の最良 の形態 以 下 、 本 発 明 の 実施 例 に っ ぃ て 図 面 を 参 照 し て 説 明 す る 。 '
    [0065] 実施例 1
    [0066] F i g . 1 は、 本発明 の実施例 1 の プラ ズマ C V D 装置 の構成を示す説明 図でぁ る 。 図中 1 1 は、 真空反応容器でぁ る 。 真空反応容器 1 1 内 に は、 1 対の原料ガス供給電極 1 7 が垂直向 き に し て互ぃ に平向 に し て対設 さ れてぃ る 。 各原料 ガス供铪電極 1 7 は、 金属で形成 さ れてぃ る 。 各原料ガス 供 給電極 1 7 に は、 F i g . 2 に示す如 く 、 多数の ガス流出孔 1 8 が分散 し て設け ら れて ぃ る 。 各原料ガス流出電極 1 7 の 裏面に は、 金属製で漏斗状を し た分配室形成体 1 9 A と 、 こ れに原料ガス を供給す る 金属製の配管 1 9 B と 、 両者を接続 す る 継手 1 9 C と か ら な る 原料ガ ス供給手段 1 9 が設け ら れ てぃ る 。 継手 1 9 C は、 管 1 9 B に機密に連結 さ れて ぃ る 分配形成体 1 9 A は、 継手 1 9 C に ネ ジ結合で前後動で き る ょ ぅ に取付け ら れてぃ る 。 配管 1 9 B は、 真空反応容器 1 1 の外 に気密に導出 されてぃ る 。 原料ガス流出電極 1 7 は、 原 料ガス 供耠手段 1 9 を介 し てァ ー ス さ れて ぃ る 。 両原料ガス 流出電極 1 7 間の 中央に は処理用 の基扳 1 3 が金属製の基扳 ホ ルダ一 2 ◦ に支持 さ れて置かれてぃ る 。 基扳ホ ルダ一 2 0 は、 通電支柱 2 1 の上端 に着脱 自 在に嵌め込み支持さ れてぃ る 。 基扳 1 '3 に は、 外部の高周波電源 1 5 か ら マ ッ チ ン グボ ッ ク ス 2 2 、 给電 コ 一 ド 2 3 、 通電支柱 2 1 、 基板ホ ルダー 2 0 を介 し て高周波電カが印加 さ れ る ょ ぅ に な っ てぃ る 。 真 空反応容器 1 1 の下部 に は図示 し な ぃ真空ポ ン プで真空引 き をす る た めの排気管 2 4 が設け ら れてぃ る 。 な ぉ、 F i g , 3 は、 こ の プ ラ ズマ C V D 装置の電気系統の構成を示 し て ぃ る 0
    [0067] 次に、 こ の ょ ぅ な プラ ズマ C V D 装置を用 ぃ て行 ぅ 薄膜 形成方法 にっ ぃ て説明す る 。 真空反応容器 1 1 内 は、 真空引 き し て 0 . 1 To r r位 に保っ。 両側の原料ガス 供給手段 1 9 か ら キ ャ リ ァ ガス と 共 に 供給 さ れた原料ガス を両原料ガス 流出 電極 1 7 の ガス流出孔 1 8 カ、 ら 基板 1 3 の両面側に 流出 さ せ る 。 基板 1 3 に高周波電カを印加す る と 、 プラ ズマ は該基板 1 3 と そ の両側の原料ガス流出電極 1 7 と の 間 に起 こ る 。 そ し て、 各原料ガス流出電極 1 7 か ら 流出 さ れ る 原料ガス が、 プラ ズマ 中で活性化す る 。 そ の結果、 基板 1 3 の両面に 同時 に 薄膜が形成 さ れ る 。 こ の場合、 基板 1 3 にか け る 高周波の 周波数 は 1 3 . 5 6 MH z と す る 。 高周波電カ は、 マ ッ チ ン グ ボ ッ ク ス 2 2 で電気的 に整合 さ れて基扳 1 3 に 印加 さ れ る ょ ぅ に な っ てぃ る 。 両原料ガス流出電極 1 7 は、 基板 1 3 に対 し て左右対称で ぁ る 。 原料ガス の流量、 基扳 1 3 と の 距離 は 同一で ぁ る 。 排気は中央下部か ら 行ぃ 、 プラ ズマ 中 に偏 っ た 影響がでな ぃ ょ ぅ にす る 。
    [0068] 成膜の終了 は、 原料ガス の 供給を止め た後 に 高周波電源 1 5 を切 っ て行 ぅ 。 成膜の 開始は、 高周波を基扳 1 3 に 印加 し た後 に 、 原料ガス を流 し て行 ぅ 。 基扳 1 3 は成膜中 は 同一 場所 に保持す る 。 基扳ホ ルダー 2 0 はで き る だ け薄 く し て、 真空中での原料ガス の流れに乱れが生 じ な ぃ ょ ぅ にす る こ と が好ま し ぃ。 '
    [0069] 次に、 実施例 1 の プラ ズマ C V D 装置を用 ぃ て基扳上に プ ラ ズマ C V D 薄膜を形成 し た実験例 1 にっ ぃ て説明す る 。 実驗例 1
    [0070] 基扳 1 3 は、 8 . 8 9 cm ( 3 . 5 " ) の ァ ノレ ミ デ ィ ス ク と し、 基扳ホ ノレダ一 2 0 はス テ ン レ ス ス チ 一ル製 と し た。 基 扳 1 3 の厚み は、 1 〜 2 丽 と し た。 基扳 1 3 と両原料ガス流 出電極 1 7 と の 間の距離は、 各側でそれぞれ 2 0 〜 5 0 誦 と し た。 各原料ガス流出電極 1 7 は、 ス テ ン レ ス ス チ ー ル製 と し て、 基扳 1 3 の外径ょ り も 外径を 2 0 %以上大 き く し た。 配管 1 9 B の外周 に は ヒ ー タ を巻付け、 そ の外周 は テ ト ラ フ ロ ロ ェ チ レ ン等の絶緣体で包囲 し、 配管 1 9 の温度がー定 と な る ょ ぅ に温調 し た。
    [0071] 更に、 下記に示す成膜時間等の条件下で実験を行 っ た と こ ろ 、 下記に示すょ ぅ な膜厚、 膜厚分布を も っ た プラ ズマ C V D 薄膜を容易 に形成す る こ とができ た。
    [0072] 記
    [0073] 成膜時間 ： 3 0 秒
    [0074] 高周波電カ 1 5 0 W , 1 3 . 5 6 MHz 配管の温度 1 0 0 °C
    [0075] キ ャ リ ァ ガ ス A r , 4 0 cc/min
    [0076] 原料ガス 高温で気相 に な る 乇 ノ マ ー 成膜 し た膜厚 3 0 0 15 膜厚分布 ： 3 0 0 人 ± 5 %
    [0077] 実施例 2
    [0078] F i . 4 は 、 実施例 2 の プ ラ ズマ C V D 装置の構成を 示す説明図で ぁ る 。 真空反 ίじ、谷器 1 1 ' 内 に は、 1 対の原料 ガス 流出電極 1 7 及び原料ガス供給手段 1 9 が設け ら れて ぃ る 。 原料ガス流出電極 1 7 及び原料ガス 供給手段 1 9 は他の 実施例 1 の も の と 同様の構成を有 し て ぃ る 。 ょ っ て、 同ー符 号を付 し てそ の説明 を省略す る
    [0079] 原料ガ ス流出電極 1 7 間 に は、 F i g . 5 に示す如 く 、 網 目状を な す 1 対の メ ッ シ 極 3 0 が垂直向 き で向 ぃ合せ に し て原料ガス流出電極 1 7 に対 し て平行に配置 さ れて ぃ る 各 メ ッ シ ュ 電極 3 0 は高周波電源 1 5 か ら 図示 し な ぃ マ ッ チ ン グボ 'ソ ク ス を介 し て高周波電カが印加 さ れ る ょ ぅ に な っ て ぃ る 。 両 メ ッ シ ュ 電極 3 0 間に は処理用 の基板 1 3 を位置 さ せ る 基扳設置空間 3 1 が設け ら れてぃ る 。 こ の基扳設置空間 3 1 内 に は、 処理用 の基扳 1 3 が垂直向 き で、 両側の メ ッ シ ュ 電極 3 0 に平行で且っ等間隔 と な る ょ ぅ に配置 さ れ る ょ ぅ に な っ て ぃ る 。 基扳 1 3 は ホ ルダー 3 2 に支持 さ れ、 ホ ルダ ー 3 2 は台車 3 3 上に 固設 さ れて ぃ る 。 台車 3 3 はべ ー ス 3 4 上 に走行す る ょ ぅ に な っ てぃ る 。 真空反応容器 1 1 ' の 下部 に は、 図示 し な ぃ真空ポ ン プで真空引 き す る た め の排気 管 3 5 が接続 さ れて ぃ る 。
    [0080] こ の ょ ぅ な プ ラ ズマ C V D 装置で は、 両側の原料ガス 供 給手段 1 9 か ら キ ャ リ ァ ガス と 共に 供給 さ れた原料ガス を、 両原料ガス流出電極 1 7 の ガス流出孔 1 8 か ら メ ッ シ ュ電極 3 0 を経て基扳 1 3 の両面側に流出 さ せ、 両メ ッ シ ュ電極 3 0 に高周波電カ を印加す る 。 プラ ズマ は、 両メ ッ シ ュ 電極 3 0 と それに対向す る 原料ガス流出電極 1 7 と の 間 に起 こ る こ れ ら の 間で原料ガスが活性化 さ れ、 基扳 1 3 の両面に共に 成膜 さ れ る 。 こ の場合、 メ ッ シ ュ 電極 3 0 にカ、け る 高周波の 周波数は 1 3 . 5 6 MHz とす る 。 基扳 1 3 と メ ッ シ ュ 電極 3 0 と の 間の距離は 1 0 mm以下 と し 、 プラ ズマ 中 に基扳 1 3 が存在す る ょ ぅ にす る 。 な ぉ、 実施例 2 の ょ ぅ に メ ッ シ ュ 電 極 3 0 に高周波をかけ る 方が、 原料ガス流出電極 1 7 をァ ー ス し な ぃ電極に し て高周波をかけ る ょ り 、 硬ぃ薄膜を基扳 1 3 上に成膜で き る 。
    [0081] 次に、 実施例 2 の プラ ズマ C V D装置を用 ぃ て基扳上に プラ ズマ C V D薄膜を形成 し た実験例 2 にっ ぃ て説明す る 。 実験例 2
    [0082] 基板 1 3 は、 8. 8 9 cm ( 3. 5 ' ) の Α ΰ 製 ノヽー ドデ ィ ス ク と し た。 原料ガス は、 A r ガス をキ ャ リ ァ ガス と し て 搬送 さ せた。 高周波電源のパ ヮ ー は、 1 0 0 Wと し た。 原料 ガス流岀電極 1 7 間の距離は、 4 0 〜 5 0 mmと し 、 メ ッ シ ュ 電極 3 0 間の距離は 2 0 〜 ： L O mmと し た。 基板 1 3 は台車 3 3 で図示 し な ぃ予備室か ら移動 さ せて き て、 メ ッ シ ュ 電極 3 0 間の 中央に セ ッ ト し 、 こ こ で停止 さ せ、 約 3' 0 秒間プラ ズ マ 中で成膜を行 っ た。 3 0 秒後に台車 3 3 を駆動 し て基扳 1 3 を別室 に移動 さ せた。 な ぉ、 ホ ルダ一 3 2 は、 絶縁物で構 成 し た。 原料ガス 流出電極 1 7 及びメ ッ シ ュ 電極 3 0 は、 ス テ ン レ ス製 と し た。 キ ャ リ ァ ガス A r と 原料ガス は、 マ ス フ ロ ー コ ン ト ロ ー ラ で流量が一定 と な る ょ ぅ に制御 し た。
    [0083] 成膜す る 前に基扳 1 3 は、 図示 し な ぃ予備室で加熱を行 ぃ、 真空反応容器 1 1 ' 内 に移動 さ せ る ょ ぅ に し た。 予備室 で は、 輻射加熱 に ょ る 加熟を行 っ た。 真空反応容器 1 1 ' 内 での成膜後 に 、 基板 1 3 を後処理室 に移動 し 、 酸素雰囲気 に 入れ、 そ の後、 後処理室か ら 取 り 出 し た。
    [0084] メ ッ シ ュ 電極 3 0 の メ ッ シ ュ 数 は、 数が少な ぃ と 、 プ ラ ノ<マが均一 と は な ら な ぃ。 ま た 、 メ 'ソ シ ュ 数が多過 ぎ る と 、 基扳 1 3 に モ ノ マが届 かな ぃ。 そ こ で種々 検討の結果、 メ ッ シ ュ 数 は、 5 〜 5 0 メ ッ シ ュ / 2 . 5 4 cmと し た。
    [0085] ホ ルダ一 3 2 は、 基板 1 3 を 1 対の メ ッ シ ュ 電極 3 0 間 の 中央に安定 し て供給す る た め、 基扳 1 3 の外周 全体を ホ ー ル ドす る 構造の も のが好ま し ぃ。
    [0086] 原料ガス 流出電極 1 7 及びメ ッ シ ュ 電極 3 0 を大型化す る と 、 複数枚の基扳 1 3 の 同時両面成膜を行 ぅ こ と がで き る 実施例 3
    [0087] F i g . 6 は、 実施例 3 の プラ ズマ C V D装置の構成を 示す説明図でぁ る 。 こ の プラ ズマ C V D装置 を構成す る 1 対 の原料ガ ス流出電極 1 7 及び原料ガス供耠手段 1 9 は、 実施 例 1 の も の と 同様の構成を有 し て ぃ る 。 ょ っ て、 同一符号を 付 し て そ の説明 を省略す る 。
    [0088] こ の プラ ズマ C V D装置 に ょ れば、 ' 基扳 1 3 ' と そ の両 側の各原料ガス流出電極 1 7 と に ょ っ て基扳 1 3 ' の両側に プラ ズマ をそれぞれ発生 さ せ る こ と がで き 、 且っ各原料ガス 流出電極 1 7 か ら の原料ガス を基扳 1 3 ' の両面に供耠で き 、 基扳 1 3 ' の両面に 同時に薄膜が形成で き る も の でぁ る 。
    [0089] 以下に、 こ の プラ ズマ C V D装置の基扳 1 3 ' の 中心孔 1 3 ' A部 に取付け ら れてぃ る ィ ン ナ ー ヮ ー ク ホノレダー にっ ぃ て、 F i g . 7 乃至 F i g . 1 0 を参照 し て説明す る 。
    [0090] こ の ィ ン ナ ー ヮ ー ク ホ ノレ ダー 3 9 は、 基扳 1 3 ' の 厚み (例ぇ ば、 1 . 3 5 mm ) に略等 し ぃ厚みを有 し てぃ る 。 基扳 1 3 ' の 中心孔 （内径が例ぇば 2 5 mm 0 ) 1 3 ' A に は嵌合 円扳 4 0 を有 し てぃ る 。
    [0091] 嵌合円扳 4 0 は、 一方の 円形端扳 4 O A と他方の 円形端 扳 4 0 B とが、 端扳 4 0 Aの 中心に一体に形成 さ れた ボス部 4 0 C で一体に連結 さ れて構成 さ れてぃ る 。 端板 4 O A は基 扳 1 3 ' の 中心孔 （例ぇば 2 5誦 ίό ) 1 3 ' Α ょ り ゃゃ大 き く （例ぇば、 2 5 . 4 舰 ） 形成 さ れてぃ る 。 こ の端扳 4 0 A が、 基扳 1 3 ' の 中心孔 1 3 ' Aへの揷入時に ス ト ッ パー と し て作用する ょ ぅ に な っ てぃ る 。 こ の大径の端扳 4 O A の外 周 に は、 端扳 4 0 B に対向す る 両側 に テ 一パ面 4 0 Dが形成 さ れてぃ る 。 テーパ面 4 0 Dカ 、 基扳 1 3 ' の 中心孔
    [0092] 1 3 ' Aに沿 っ て形成 さ れた テーパ面 1 3 ' B に嵌合 さ れた と き 、 端扳 4 O Aが基扳 1 3 ' の表面か ら 佘 り 突出 し な ぃ ょ ぅ に さ れてぃ る 。 端扳 4 0 B は基扳 1 3 ' の 中心孔 （例ぇ ば、 2 5 mm ø ) 1 3 ' A ょ り ゃゃ小 さ く （例ぇ ば、 2 4 . 6 删 ø ) 形成 さ れ、 こ の 中心孔 1 3 ' A に容易 に揷入で き る ょ ぅ に さ れて ぃ る 。 嵌合 円扳 4 0 に は両端扳 4 0 A , 4 0 B の 間で ボ ス部 4 0 C の外周 に周溝 4 0 E が形成 さ れて ぃ る 。 ま た、 ボ ス 部 4 0 C に は そ の周方向 に 位置を 1 8 0 ° 異 に し て 1 対の 切込み部 4 ◦ F が設 け ら れて ぃ る 。 嵌合円扳 4 0 の周溝 4 0 E 内 に は、 拡径係止手段 4 1 と し て リ ン グ状バネ 4 2 が組込 ま れて ぃ る 。 リ ン グ状バネ 4 2 は、 周方向 のー部 に 切離 し 部 4 2 A が設 け ら れて ぃ る 。 こ の切離 し 部 4 2 A と 反対側の位 置が、 ピ ン 4 3 で端板 4 O A に係止 さ れて ぃ る 。 切離 し 部 4 2 A と ピ ン 4 3 と の 中間で、 リ ン グ状バネ 4 2 の 内周 に は 1 対の操作用 ァ ー ム部 4 2 B が内向 き に突設 さ れて ぃ る 。 こ れ ら の操作用 ァ ー ム 部 4 2 B は、 ボス 部 4 0 C の 切込み部 4 0 F に揷入 さ れて ぃ る 。 各操作用 ァ ー ム部 4 2 B に は、 そ れぞれ操作甩孔 4 2 C が設け ら れてぃ る o こ れ ら 操作用孔 4 2 C に対応 し 端扳 4 O A に は、 径方向 に長 さ を有す る 長孔 4 0 G が設け ら れて ぃ る 。
    [0093] こ の ょ ぅ な ィ ン ナ ー ヮ ー ク ホ ルダー 9 は、 図示 し な ぃ がプ ラ ィ ャ — の先端を長孔 4 0 G か ら リ ン グ状バネ 4 2 の操 作用孔 4 2 C に揷入 して リ ン グ状バネ 4 2 を縮径 さ せ る 。 か か る 状態で、 ィ ン ナ ー ヮ 一 ク ホ ル ダー 3 9 を基板 1 3 ' の 中 心孔 1 3 ' A に端扳 4 2 B 側か ら 揷入す る 。 端扳 4 0 A が、 基扳 1 3 ' の 表面 に 当接 し た状態で プ ラ ィ ャ 一 を除去す る と リ ン グ状バネ 4 2 カ《 フ リ ー に な っ て基扳 1 3 ' の 内周 に圧接 さ れ る 。 ィ ン ナ ー ヮ ー ク ホ ルダ一 3 9 は、 基扳 1 3 ' に 係止 さ れる 。 こ の状態で、 ィ ン ナー ヮ ー ク ホ ノレダー 3 9 は、 第 8 図に示すょ ぅ に基板 1 3 ' の表面に ほぼ一致 し た状態で中心 孔 1 3 ' Aを塞ぃでぃ る。 従 っ て、 プラ ズマ C V D法に ょ り 基扳 1 3 ' の両面に同時に成膜を行ゎせ る と き 、 基扳 1 3 ' の 内径側 も均一に成膜す る こ と がで き る 。
    [0094] F i . 1 1 及び F i g . 1 2 は、 他の ィ ン ナー ヮ ー ク ホ ルダ一を示 し てぃ る 。
    [0095] こ の ィ ン ナー ヮ ー ク ホルダ一 3 9 ' は、 拡径係止手段 4 1 を構成す る リ ン グ状バネ 4 2 の各操作用孔 4 2 C に操作 ピ ン 4 4 を植設 し 、 こ れ ら操作 ピ ン 4 4 を長孔 4 0 Gカ、 ら 端 扳 4 O Aの外に導出 さ せた も のでぁ る 。
    [0096] こ の ょ ぅ にす る と、 プラ ィ ャ ー がな く て も 、 両操作 ピ ン 4 4 を指で挟んで相互に 引寄せ る ょ ぅ にす る と 、 リ ン グ状バ ネ 4 2 を縮径操作で き る 。
    [0097] F i g . 1 3 及び F i g . 1 4 は、 更に他の ィ ン ナ ー ヮ ー ク ホ ルダー を示 し て ぃ る 。 こ の ィ ン ナ ー ヮ ー ク ホ ルダー
    [0098] 3 9 * にぉぃ て は、 嵌合円扳 4 0 の外周 に 9 0 。 間隔で径方 向 に組込み孔 4 5 が設け ら れてぃ る 。 こ れ ら の組込み孔 4 5 に拡径駒 4 6 がそ の先端の小径の押圧部 4 6 Aを嵌合円扳 4 0 の外周 に突出 さ せ る ょ ぅ に し て組込 ま れて ぃ る 。 ま た、 各 組込み孔 4. 5 内 に は、 各径駒 4 6 の押圧部 4 6 Aが嵌合円扳
    [0099] 4 0 の外周カ、 ら 外部に突出す る ょ ぅ に付勢す る コ ィ ルバネ 4 7 がそれぞれ組込ま れて ぃ る 。
    [0100] こ の ょ ぅ な構造の ィ ン ナー ヮ ー ク ホ ルダ一 3 9 " では、 嵌合円板 4 0 を端板 4 0 B 側か ら 単 に基板 1 3 ' の 中心孔 1 3 ' A に揷入す る だ けで、 基板 1 3 ' に対す る 取付 け を行 ぅ こ と がで き る 。
    [0101] な ぉ、 各 ィ ン ナ 一 ヮ 一 ク ホ ルダ一 3 ， 3 9.' , 3 9 " は 、 F i g . 7 , F i g . 1 1 に 示す も の で は、 リ ン グ状バ ネ 4 2 を縮径操作 し て引 き 出 す こ と に ょ り 基板 1 3 ' か ら 外 す こ と がで き る 。 F i g . 1 3 に示す も の で は 、 端板 4 ◦ B 側か ら 単 に押 し 出す こ と に ょ り S扳 1 3 ' カ、 ら 外す こ と がで の ょ ぅ な ィ ン ナ 一 ヮ 一 ク ホ ルダー 3 9 , 3 9 ' ,
    [0102] 3 9 " を使用 し な ぃ場合 と 、 使用 し た場合での 、 基板 1 3 ' 上の プ ラ ズマ C V D 法 に ょ る 膜厚分布の相違を比蛟実験 し た と こ ろ 、 F i . 1 5 及び F i g . 1 6 の ょ ぅ な結果カ《得 ら れた。 F i . 1 5 は 、 ィ ン ナ 一 ヮ ー ク ホ ルダ一 3 9 , 3 9 ' , 3_ ^ " を使 ffl し な ぃ の膜厚分布図 を示 し た も の で、 -S扳 1 3 ' の 内 ^ 側 に 膜 の 薄ぃ 部分カく生 じ た。 F i g 1 6 は、 ィ ン ナ ー ヮ 一 ク ホ ル ダー 3 9 , 3 9 ' , 3 9 " を使 用 し た 台の膜厚分布図を示 し た も の で、 -板 1 3 ' の 9 8 % に ゎ た っ て ± 5 % の膜厚分布を得 る こ と カくで き た 。
    [0103] 実施例 4
    [0104] の 実施例 4 の プ ラ ズマ C V D 装置 の概略構成 は、
    [0105] F i g . 6 に示 し た突施例 3 の も の と 同様で ぁ る の で 、 F i s . 6 及 び そ の 説 明 を も っ て 、 突 施 例 4 の プ ラ ズ マ C V D 装匿 の 説叨 と す る 。 以下に、 こ の実施例 4 の プラ ズマ C V D装置の要部でぁ る ァ ゥ タ ー ヮ 一 ク ホ ノレダー にっ ぃ て F i g . 1 7 ( A ) 乃至 F i g . 1 7 ( E ) を参照 し て説明す る 。
    [0106] こ の ァ ゥ タ — ヮ ー ク ホ ノレダー 5 8 は、 リ ン グ状を し た ァ ゥ タ 一 ヮ 一 ク ホ ノレダー本体 5 9 と 、 ァ ゥ タ ー ヮ ー ク ホ ルダー 本体 5 9 を支持部 に取付け る た め の取付部 6 0 と で構成 さ れ てぃ る。 ァ ゥ 夕 ー ヮ 一 ク ホ ルダー本体 5 9 は、 上側の半 リ ン グ部 5 9 A と 下側の半 リ ン グ部 5 9 B と に 2 っ割 り に さ れ、 こ れ ら は雄継手部 5 9 C と 雌継手部 5 9 D と で リ ン グ状に連 結 さ れる ょ ぅ に な っ てぃ る 。 こ の ょ ぅ な ァ ゥ タ ー ヮ ー ク ホ ル ダー本体 5 9 の 内周 に は、 基扳 1 3 ' の外周 を嵌合 さ せ る 基 扳嵌合溝 5 9 E が設け ら れてぃ る 。 ま た、 ァ ゥ タ ー ヮ 一 ク ホ ルダー本体 5 9 に は、 基板 1 3 ' を支持す る 内周部分に基扳 1 3 ' の厚み （例ぇ ば、 1 . 2 7 觀 ） に ほぼ等 し ぃ厚み （例 ぇば ί . 4 mm ) の均一肉厚部分 5 9 F が基板 1 3 ' の外周を 包囲 し て設け ら れて ぃ る 。 こ の均一肉厚部分 5 9 F の厚み は 基扳 1 3 ' の厚み以上で且っ基扳 1 3 ' の厚みの 1 2 5 %以 下の厚みでぁ る こ と が好ま し ぃ。 ま た、 均一肉厚部分 5 9 F の外径は基扳 1 3 ' の外周 ょ り そ の外径 'の 1 2 0 %以上にゎ た っ て設け ら れてぃ る こ と が好ま し ぃ。
    [0107] 基扳 1 3 ' の厚み （ 1 . 2 7 誦 ） に対 し て 1 1 0 %厚み ( 1 . 4 誦 ） の 均一 肉 厚 部分 5 9 F が 、 基 扳 1 3 ' の 径 ( 9 5職 ø ) の 1 2 6 % ( 1 2 0 丽 ø ) にゎ た っ て設け ら れ た ァ ゥ タ 一 ヮ 一 ク ホ ルダー本体 5 9 を用 ぃ て、 基扳 1 3 ' の 両面に F i g . 6 に示すプ ラ ズマ C V D 装置 に ょ っ て、 膜を 同時に形成 し た と こ ろ 、 基扳 1 3 ' の 全面積の 9 7 % に ゎ た っ て 土 5 % の膜厚分布を得 る こ と がで き た。
    [0108] ま た、 均一肉厚部分 5 9 F の外径が基板外径の 1 2 0 % ょ り 小 さ ぃ場合、 ま た は ァ ゥ タ ー ヮ ー ク ホ ルダ一 本体 5 9 の 厚 さ が基板 1 3 ' の厚 さ の 1 2 5 % ょ り 大 き ぃ場合 に は、 基 板 1 3 ' の外周縁部の膜厚分布が ± 5 % の範囲 に入 ら な ぃ こ と がゎか っ た。
    [0109] こ の実験結果を F i g . 1 8 及び F i g . 1 9 に示す。 F i g . 1 8 は、 ァ ゥ 夕 ー ヮ ー ク ホ ルダー 本体 5 9 の均一肉 厚部分 5 9 F の外径範囲 （基板 1 3 の外径を 1 0 0 % と す る 。 ） と 基扳 1 3 ' の周縁部の膜厚変化 （tー T ) Z T X 100 ( % ) (た だ し 、 T は基板 1 3 ' の半径方向の 中央の膜厚、 t は基扳 1 3 ' の外周 か ら 3 翻 の箇所の膜厚） と の関係を示 し た も の でぁ る 。 図カ、 ら 明 ら かな ょ ぅ に 、 均ー肉厚部分 5 9 F の外径が基扳 1 3 ' の 直径の 1 2 0 % ょ り 小 さ ぃ と 、 膜厚分布が ± 5 % の範囲 に入 ら な ぃ こ と が判明 し た。
    [0110] F i g . 1 9 は、 ァ ゥ タ ー ヮ ー ク ホ ノレダー 本体 5 9 の均 —肉厚部分 5 9 F の 肉厚 （基扳 1 3 ' の 肉厚の等 し ぃ と き を 1 0 0 % と す る 。 ） と 前述 し た基板 1 3 ' の周緣部の膜厚変 化 （ t — T ) / T X 1 0 0 ( % ) と の 関係を示 し た も の で ぁ る 。 図カ、 ら 明 ら かな ょ ぅ に、 均一肉厚部分の 5 9 F の 肉厚 は 基板 1 3 ' の 肉厚を超ぇ て 1 2 5 % ょ り 大 き く な る と 、 膜厚 分布が ± 5 % の範囲 内 に入 ら な ぃ こ と がゎカ、 っ た。 以上説明 し た ィ ン ナ ー ヮ 一 ク ホ ノレダー と ァ ゥ タ 一 ヮ ー ク ホ ルダーを用 ぃ た プラ ズマ C V D装置で、 下記の条件の下で 実験を行 っ た と こ ろ 2 5 に示す結果を得た
    [0111] 成膜時間 F 1 0 〜 6 0 秒
    [0112] 記1 .
    [0113] 高周波電カ 1 5 0 W , 1 3 . 5 6 MHz
    [0114] g
    [0115] 配管温度 1 0 0 。C
    [0116] キ ャ リ ァ ガ ス A r , 4 0 cc/niin
    [0117] 原料ガス 4 0 ce/in i n
    [0118] こ こ で、 原料ガス は、 常温で固体の ジべ ン ジ ル
    [0119] ( C 6 H 5 - C H 2 - C H 2 - C 6 H 5 ) を容器に入れ、 こ れを 1 5 0 で に加熱 し て液体状に し 、 こ の容器内を A r ガス でバブ リ ン グ し て、 ンへ ン シ ルを気相状に し て搬送 し て ぃ る バブ リ ン グ し た原料ガス に、 キ ャ リ ァ ガス と し て A r ガス を 加ぇ て電極部 に供耠 し てぃ る 。 べル ジ ャ 近 く の配管径は、 1 0 0 。Cの温度で ジべ ン ジ ノレが液相 ま た は固相 に な ら な ぃ ょ ぅ な も の に設定 し てぃ る 。
    [0120] F i g . 2 5 か ら 成膜時間を大 き く す る と 、 膜厚は正比 例的に大 き く な る こ と が判 っ た。 すな ゎ ち 、 こ れは ィ ン ナ 一 ヮ ー ク ホ ルダー と ァ ゥ 夕 ー ヮ — ク ホ ルダ一 に ょ っ て、 基扳上 での流れが安定 し て成膜条件が一定に な っ た こ と に ょ る 。 ま た 、 本発明 に基づぃ て製作 し た膜 （以下、 P P膜 と 記 す、 本発明品） と 、 磁性膜上に ス ノヽ。 ッ タ リ ン グ法で カ 一 ボ ン 膜を成膜 し、 さ ら に、 そ の上に潤滑油を塗布 し た膜 （以下、 カーボン膜 +潤滑油と記す、 比較例品） とを比較したところ 下記第 1表に示す結果を得た。
    [0121] 第 1
    [0122]
    [0123] なぉ、 " β逨摺動特性" の突験条件は次の通りでぁる • ディ スク上に摩耗試験用のへッ ドを置ぃて行った。
    [0124] • へッ ドのサィズ ： 5 mm X 5 ram
    [0125] へッ ドの重さ ： 1 5 gf
    [0126] • ディ スクの摺動速度 ： 1 ◦ ni/s 実験結果は次の通 り でぁ っ た。
    [0127] P P 膜 （本発明品） ： 2 〜 4 X 1 0 5 回
    [0128] カ ー ボ ン膜 + 潤滑油 （比較例品） ： 1 〜 3 X 1 0 4 回 ま た、 ス テ ィ ッ キ ン グは、 デ ィ ス ク が停止時にへ ッ ドカ デ ィ ス ク に吸着す る 現象の こ とでぁ り 、 P P 膜は問题な ぃが カ 一 ボ ン膜 + 潤滑油では吸着する 。
    [0129] ま た、 耐食性の実験条件は、 次の通 り でぁ る 。
    [0130] (条件 ー 1 ) (条件 ー 2 ) 温度 8 Q °C , 相対湿度 8 0 % =^ 温度 2 5 'C , 相対湿度 5 0 % 条件ー 1 と 条件 ー 2 を 2 時間サィ ク ルで綠 り 返す。 すな ゎ ち 、 こ の条件 — 1 と条件 一 2 に デ ィ ス ク の環境を 2 時間サ ィ ク ルで繰 り 返 し変ぇ る 実験を行 っ た。
    [0131] な ぉ、 こ の試験は、 苛酷な環境試験でぁ り 、 保護膜が不 十分でぁ れば、 デ ィ ス ク が腐食 し て、 膜が膨潤 し た り 、 剥離 し た り する 。
    [0132] こ の試験の結果、 P P 膜は全 く 問題な か っ たが、 カ ー ボ ン + 潤滑油 は、 少 し 腐食が見：ら れた。
    [0133] 実施例 5
    [0134] F i g . 2 0 は、 実施例 5 の プラ ズマ C V D 装置の構成 を示す断面図でぁ る 。 図中 7 0 は、 接地 さ れた真空反応容器 でぁ る 。 真空反応容器 7 0 内 に は、 両面型の原料ガ ス流出電 極 7 7 と 、 片面型の原料ガス 供給電極 7 8 と が、 それぞれの 電極面 8 0 A , 8 3 A を所定間隔で平行に向 ぃ合せて垂直向 き で配置 さ れて ぃ る 。 両面型の原料ガス ί共給電極 7 7 は、 F i g . 2 1 に示す如 く 、 三角維形の分配室 7 9 a が反対向 き の両面 に 開 ロ し て形成 さ れてぃ る 金属製の分配室形成体 7 9 b と 、 分配室形成体 7 9 b の 各分配室 7 9 a の 開 ロ部を 塞ぃ で設け ら れた 金属製の原料ガス 流出電極本体 8 0 と で構 成 さ れて ぃ る 。 各原料ガス流出電極本体 8 0 に は、 F i g . 2 2 に示す如 く 、 多数の ガ ス 流出孔 8 1 が分散 し て設 け ら れ て ぃ る 。 各原料ガ ス 流出電極本体 8 0 の電極面 8 0 Aカ、 ら 互 ぃ に逆向 き で原料ガス が流出で き る ょ ぅ に な っ て ぃ る 。 片面 型の原料ガス 供給電極 7 8 は、 片面側 に 図示 し な ぃが三角錐 形の分配室が形成 さ れて ぃ る 金属製の分配室形成体 8 2 と 、 分配室形成体 8 2 の分配室の開 ロ 部を塞ぃで設 け ら れた金属 製の原料ガス 流出電極本体 8 3 と で構成 さ れて ぃ る 。 原料ガ ス 流出電極本体 8 3 に は多数の ガ ス 流出孔 8 4 が分散 し て設 け ら れて ぃ る 。 各原料ガス 流出電極本体 8 3 の 電極面 8 3 A カ、 ら原料ガ ス を流出で き る ょ ぅ に な っ て ぃ る 。 各原料ガ ス 流 出電極 7 7 , 7 8 に は 、 こ れ ら に原料ガ ス を供給す る 金属製 の原料ガス 供給配管 8 6 , 8 5 がそ れぞれ接続 さ れて ぃ る 。 原料ガ ス と し て は 、 種 々 の も の カ ぁ る カ 、 例 ぇ ば、 べ ン ゼ ン 系の モ ノ マ材料を用 ぃ る 。 各原料ガス 供給配管 8 6 , 8 5 は 真空反応容器 7 0 を気密に貫通 し て設け ら れて ぃ る 。 各原料 ガ ス 流出電極 7 7 , 7 8 は原料ガ ス 供給配管 8 6 , 8 5 及び 真空反応容器 7 0 を介 し て接地 さ れて ぃ る 。 隣 り 合 ぅ 原料ガ ス 流出電極 7 7 , 7 8 の 向 ぃ 合 ぅ 電極面 8 0 A , 8 3 Α Ηί]の 中央 に は、 F i g . 2 3 に示す如 く 、 そ れぞれ処理用 の 基扳 1 3 ' が金属製の基扳ホ ルダ一 8 7 に支持 さ れて置かれてぃ る 本実施例 は、 基板ホ ルダ一 8 7 は、 2 枚の基板 1 3 ' をそ の両面を左右に露出 さ せて支持す る ょ ぅ に な っ てぃ る 。 基扳 ホ ノレダー 8 7 は台車 8 8 上に 固設 さ れてぃ る 。 台車 8 8 は、 べ ー ス 8 9 上を走行 し て真空反応容器 7 0 の 内外へ移動がで き る ょ ぅ に な っ てぃ る 。 基扳 1 3 ' に は、 外部の高周波電源 等の プ ラ ズマ電源 7 5 カ、 ら マ ッ チ ン グボ ッ ク ス 9 0 、 給電 コ ー ド 9 1 、 基板ホ ル ダー 8 7 を介 し て高周波電カが印加 さ れ る ょ ぅ に な っ てぃ る 。 真空反応容器 7 0 の下部に は図示 し な ぃ真空ポ ン プで真空引 き す る ための排気管 9 2 が設け ら れて ぃ る 。 真空反応容器 7 0 に は、 図示 し な ぃが、 前後に プ レ ヒ ー ト 用 の前記処理容器 と膜安定化用 の後処理容器 と が開閉用 の ゲー ト パ、ル ブを介 し て接続 さ れて ぃ る 。
    [0135] 次に、 こ の ょ ぅ な プラ ズマ C V D 装置を用 ぃ て行 ぅ 薄膜 形成方法にっ ぃ て説明す る 。 真空反応容器 7 ◦ 内 は真空引 き し て 0 , 1 T o r r位に保っ。 各原料ガス供给配管 8 6 , 8 5 か ら キ ャ リ ァ ガス と 共に供給 さ れた原料ガス を、. 各原料ガス流 出電極 7 7 , 7 8 のガ ス流出孔 8 1 , 8 4 カ、 ら 各基扳 1 3 ' の両面側 に流出 さ せる 。 な ぉ、 配管 8 6 に は配管 8 5 に送 る 原料ガス の量の 2 倍の量を送る ょ ぅ にす る 。 各基扳 1 3 ' に 1 0 0 〜 1 5 0 Wの プラ ズマ電源 7 5 か ら高周波電カ を印加 す る と 、 プ ラ ズマ は各基扳 1 3 ' と そ の両側の原料ガ ス流出 電極 7 7 , 7 8 と の 間 に起 こ り 、 各原料ガス流出電極 7 7 ， 7 8 か ら 流出 さ れ る 原料ガスがプラ ズマ 中で活性化 さ れ、 各 基扳 1 3 ' の両面に 同時に薄膜がそ れぞれ形成 さ れ る 。 こ の 場合、 各基扳 1 3 ' にか け る 高周波の周波数は 1 3 . 5 6 MHz と す る 。 高周波電カ は マ ッ チ ン グボ ッ ク ス 9 0 で電気的 に整合 さ れて各基扳 1 3 ' に 印加 さ れ る ょ ぅ に な っ て ぃ る 。 各原料ガス 流出電極 7 7， 7 8 は 中央の基扳 1 3 ' に対 し て 左右対称でぁ り 、 原料ガ ス の流量、 基扳 1 3 ' と の距離は同 —でぁ る 。 排気 は中央下部か ら 行ぃ 、 プ ラ ズマ 中 に偏 っ た影 響がでな ぃ ょ ぅ にす る 。
    [0136] 成膜時間 は約 3 0 秒程度でぁ る 。 成膜の終了 は、 原料ガ スの供給を止め た後に プ ラ ズマ電源 7 5 を切 っ て行 ぅ 。 成膜 開始は、 高周波を各基板 1 3 ' に 印加 し た後 に 、 原料ガス を流 し て行 ぅ 。 各基扳 1 3 ' は成膜中 は同ー場所 に保持す る 基板ホ ルダー 8 7 はで き る だけ薄 く し て、 真空中での原料ガ ス の流れに乱れが生 じ な ぃ ょ ぅ にす る こ と が好 ま し ぃ。
    [0137] F i g . 2 4 は、 他の プ ラ ズマ C V D装置の構成を示 し た も の で ぁ る 。 な ぉ、 F i g . 2 ◦ と 対応す る 部分 に は、 同 —符号を付 けて示 し て ぃ る 。 本実施例で は、 両面型の原料ガ ス流出電極 7 2 を 2 個並設 し 、 3 箇所で基扳 1 3 ' の プラ ズ マ C V D処理がで き る ょ ぅ に し た 例を示 し た も の でぁ る 。
    [0138] こ の ょ ぅ にす る と 、 ょ り 多 く の基板 1 3 ' の 同時成膜処 理を実施す る こ と がで き る 。
    [0139] 産業上の利用可能性
    [0140] 本発明の プ ラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成方法及 びそ の装 置 に よ れば、 基扳に堅 く 緻密な膜で耐食性 · 耐摩耗性 に 優れ た薄膜を容易に形成す る こ と がで き る 。 こ の た め本発明 は、 磁気デ ィ ス ク 装置等の製造分野に ぉぃ て極めて有用 な も の で ぁ 。
    权利要求:
    Claims請 求 の 範 囲
    (1) 真空反応容器内 に所定の 間隔を設 け て相互 に 向 ぃ 合せに対設 さ れた原料ガス流出電極間 に 、 被処理体を設置す る ェ程 と 、
    前記原料ガス流出電極か ら 前記被処理体 に原料ガ ス を流 出 さ せっっ 、 前記原料ガス流出電極を接地 し て前記被処理体 に所定の高周波電カを印加す る ェ程 と 、
    前記高周波電カ に ょ っ て前記原料ガス か ら 発生 し た プラ ズマ に ょ り 前記被処理体 に薄膜を形成す る ェ程 と 、
    を具備す る プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成方法。
    (2) 原料ガス 流出電極が、 3 個以上で ぁ り 、 隣 り 合 ぅ 該原料ガス流出電極間 に被処理体が夫 々 設置 さ れ る も の でぁ る 請求項第 1 項記載の プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成方法。
    (3) 原料ガス は、 夫々 の原料ガス流出電極の対向面 に 形成 さ れた多数個の原料ガス 流出孔か ら 流出 さ れ る も の で ぁ る 請求項第 1 項記載の プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成方法。
    (4) 被処理体が、 磁気デ ィ ス ク 素材で ぁ る 請求項第 1 項記載の プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成方法。
    (5) 真空反応容器内 に所定間隔 を設け て相互 に 向 ぃ合 せ に原料ガス流出電極が対設 さ れ、 かっ 、 該原料ガス流出電 極間の空間領域に所定間隔を設 けて対設 さ れた通電電極の対 の 間の領域 に被処理体を設置す る ェ程 と 、
    前記原料ガス流出電極か ら 前記被処理体 に原料ガス を流 出 さ せっ っ、 前記原料ガ ス 流出電極を接地 し て前記通電電極 に所定の高周波電カ を印加する ェ程と 、
    前記¾周波電カ に ょ っ て前記原料ガス か ら発生 し た プラ ズマ に ょ り 前記被処理体に薄膜を形成す る ェ程と 、
    を具備す る プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成方法。
    (6) 通電電極が、 メ ッ シ ュ電極で形成さ れてぃ る 請求 項第 5 項記載の プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成方法。
    (7) 真空反応容器内 に所定間隔を設けて相互に向 ぃ合 せに対設 さ れた原料ガス流出電極 と 、
    該原料ガス流出電極に接続 さ れた原料ガス流出手段 と 、 該原料ガス流出手段間の所定位置に設置 さ れる 被処理体 を支持す る 支持手段 と 、
    前記原料ガス流出手段を接地 し て前記被処理体に所定の 高周波電カ を印加す る 高周波電カ印加手段 と 、
    を具備す る プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成装置。
    (8) 原料ガス流出電極が、 3 個以上でぁ り 、 隣 り 合 ぅ 該原料ガス流出電極間 に被処理体を支持す る 支持手段が設け ら れて ぃ る 請求項第 7項記載の プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形 成装置。
    (9) 夫々 の原料ガス流出電極の対向面に、 多数個の原 料ガス流出孔が形成 されてぃ る も のでぁ る 請求項第 7 項記載 の プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成装置。
    (10) 支持手段が通電電極でぁ り 、 高周波電カ 印加手段 は、 該支持手段を介 し て被処理体に高周波電カを印加す る も のでぁ る 請求項第 7項記載の プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成
    (11) 真空反応容器内 に所定間隔を設け て相互 に 向 ぃ合 せ に対設 さ れた原料ガス流出電極 と 、
    該原料ガス流出電極に接続 さ れた原料ガス流出手段 と 、 該原料ガス流出電極間の所定位置 に設置 さ れ る 被処理体 を支持す る 支持手段 と 、
    前記原料ガス 流出電極を接地 し て前記被処理体に所定の 高周波電カ を印加す る 高周波電カ 印加手段 と 、
    該被処理体の厚み に略等 し ぃ厚み を有 し て該被処理体の 中心孔に嵌合 さ れ る 嵌合円扳 と 、
    該嵌合円板の外周部 に組込 ま れて該嵌合円板を前記被処 理体に支持 さ せ る 拡径係止手段 と か ら な る ィ ン ナ ー ヮ ー ク ホ ルダー と、
    を具備す る プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成装置。
    (12) 拡径係止手段は、 バネ 圧 に ょ っ て嵌合 円扳を被処 理体に支持 さ せ る も の でぁ る 請求項第 1 1 項記載の プ ラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成装置。
    (13) 被処理体が、 磁気デ ィ ス ク 素材でぁ る 請求項第 1 1 項記載の プ ラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成装置。
    (14) ' 真空反応容器内 に所定間隔を設け て相互 に 向 ぃ合 せ に対設 さ れた原料ガス流出電極 と 、
    該原料ガス流出電極に接続 さ れた原料ガス 流出手段 と 、 該原料ガス 流出電極間の所定位置 に設置 さ れ る 被処理体 を支持す る 支持手段 と 、 前記原料ガス流出電極を接地 し て前記被処理体に所定の 高周波電カ を印加す る 高周波電カ印加手段と 、
    前記被処理体の外周 に沿 っ た部分に前記被処理体の厚み に ほ ぼ等 し ぃ厚みの均一肉厚部分が当接 し 、 かっ 、 該被処理 体の両面を露出 さ せた状態で前記被処理体を支持す る 環状の ァ ゥ タ 一 ヮ ー ク ホ ルダー本体 と 、
    を具備する プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成装置。
    (15) 披処理体が、 磁気ディ ス ク 素材でぁ る 請求項第 1 4 項記載の プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成装置。
    (16) 真空反応容器内 に所定閭隔を設けて相互に 向ぃ合 せに対設 さ れた原料ガス流出電極 と、
    該原料ガス流出電極に接続 さ れた原料ガス流出手段 と、 該原料ガス流出電極間の空間領域に所定間隔を設けて対 設 さ れた通電電極 と 、
    該通電電極間の所定位置に設置 さ れ る 被処理体を支持す る 支持手段 と 、
    前記原料ガス流出電極を接地 し て前記通電電極に所定の 高周波電カを印加す る 高周波電カ印加手段 と 、
    を具備する プラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成装置。
    (17) 通電電極が、 メ ッ シ ュ電極でぁ る 請求項第 1 6項 記載の ブラ ズマ C V D に ょ る 薄膜形成装置。
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    TWI229139B|2005-03-11|Carbon film-coated article and method of producing the same
    TW548680B|2003-08-21|Gas injection system and method for plasma processing
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    KR890702414A|1989-12-23|
    KR930003136B1|1993-04-22|
    EP0336979B1|1995-05-24|
    US4991542A|1991-02-12|
    EP0336979A4|1990-12-27|
    EP0336979A1|1989-10-18|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    JPS60218826A|1984-04-13|1985-11-01|Fujitsu Ltd|Formation of thin film|
    JPS616277A|1984-06-20|1986-01-11|Canon Inc|Plasma cvd device|
    JPS6115974A|1984-06-29|1986-01-24|Minolta Camera Co Ltd|Plasma cvd device|EP0424620A2|1989-09-22|1991-05-02|Balzers Aktiengesellschaft|Verfahren und Anlage zum chemischen Beschichten von einander gegenüberliegenden Oberflächenbereichen eines Werkstückes|
    JP2002093722A|2000-09-14|2002-03-29|Mitsubishi Electric Corp|プラズマｃｖｄ装置、薄膜形成方法および太陽電池の製造方法|US4317844A|1975-07-28|1982-03-02|Rca Corporation|Semiconductor device having a body of amorphous silicon and method of making the same|
    JPS591671A|1982-05-28|1984-01-07|Fujitsu Ltd|Plasma cvd device|
    US4668365A|1984-10-25|1987-05-26|Applied Materials, Inc.|Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition|
    US4618477A|1985-01-17|1986-10-21|International Business Machines Corporation|Uniform plasma for drill smear removal reactor|US5580384A|1989-09-22|1996-12-03|Balzers Aktiengesellschaft|Method and apparatus for chemical coating on opposite surfaces of workpieces|
    US5224441A|1991-09-27|1993-07-06|The Boc Group, Inc.|Apparatus for rapid plasma treatments and method|
    US6001432A|1992-11-19|1999-12-14|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Apparatus for forming films on a substrate|
    US6001431A|1992-12-28|1999-12-14|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Process for fabricating a magnetic recording medium|
    US7264850B1|1992-12-28|2007-09-04|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Process for treating a substrate with a plasma|
    US5647911A|1993-12-14|1997-07-15|Sony Corporation|Gas diffuser plate assembly and RF electrode|
    KR980009048A|1996-07-30|1998-04-30|아마노 히로시|랩필름 수납 상자|
    DE19635736C2|1996-09-03|2002-03-07|Saxonia Umformtechnik Gmbh|Diamantähnliche Beschichtung|
    US6203862B1|1998-05-13|2001-03-20|Intevac, Inc.|Processing systems with dual ion sources|
    US7049226B2|2001-09-26|2006-05-23|Applied Materials, Inc.|Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization|
    US7780785B2|2001-10-26|2010-08-24|Applied Materials, Inc.|Gas delivery apparatus for atomic layer deposition|
    US6916398B2|2001-10-26|2005-07-12|Applied Materials, Inc.|Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition|
    US20110104381A1|2004-01-15|2011-05-05|Stefan Laure|Plasma Treatment of Large-Scale Components|
    KR100519778B1|2004-01-30|2005-10-07|삼성전자주식회사|양면 코팅용 플라즈마 ｃｖｄ 장치 및 플라즈마 ｃｖｄ 방법|
    US20050230350A1|2004-02-26|2005-10-20|Applied Materials, Inc.|In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication|
    DE112006001571A5|2005-04-11|2008-03-27|Dr. Laure Plasmatechnologie Gmbh|Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabeschichtung|
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    US8551578B2|2008-02-12|2013-10-08|Applied Materials, Inc.|Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation|
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    JP5164107B2|2008-07-01|2013-03-13|株式会社ユーテック|プラズマｃｖｄ装置、薄膜の製造方法及び磁気記録媒体の製造方法|
    US8535766B2|2008-10-22|2013-09-17|Applied Materials, Inc.|Patterning of magnetic thin film using energized ions|
    US9064815B2|2011-03-14|2015-06-23|Applied Materials, Inc.|Methods for etch of metal and metal-oxide films|
    US9324576B2|2010-05-27|2016-04-26|Applied Materials, Inc.|Selective etch for silicon films|
    US8999856B2|2011-03-14|2015-04-07|Applied Materials, Inc.|Methods for etch of sin films|
    US10283321B2|2011-01-18|2019-05-07|Applied Materials, Inc.|Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma|
    US8808563B2|2011-10-07|2014-08-19|Applied Materials, Inc.|Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination|
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    US9373517B2|2012-08-02|2016-06-21|Applied Materials, Inc.|Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control|
    US9034770B2|2012-09-17|2015-05-19|Applied Materials, Inc.|Differential silicon oxide etch|
    US9023734B2|2012-09-18|2015-05-05|Applied Materials, Inc.|Radical-component oxide etch|
    US9390937B2|2012-09-20|2016-07-12|Applied Materials, Inc.|Silicon-carbon-nitride selective etch|
    US9132436B2|2012-09-21|2015-09-15|Applied Materials, Inc.|Chemical control features in wafer process equipment|
    US8969212B2|2012-11-20|2015-03-03|Applied Materials, Inc.|Dry-etch selectivity|
    US8980763B2|2012-11-30|2015-03-17|Applied Materials, Inc.|Dry-etch for selective tungsten removal|
    US9111877B2|2012-12-18|2015-08-18|Applied Materials, Inc.|Non-local plasma oxide etch|
    US8921234B2|2012-12-21|2014-12-30|Applied Materials, Inc.|Selective titanium nitride etching|
    US10256079B2|2013-02-08|2019-04-09|Applied Materials, Inc.|Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations|
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    US9493879B2|2013-07-12|2016-11-15|Applied Materials, Inc.|Selective sputtering for pattern transfer|
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    US9502258B2|2014-12-23|2016-11-22|Applied Materials, Inc.|Anisotropic gap etch|
    US9343272B1|2015-01-08|2016-05-17|Applied Materials, Inc.|Self-aligned process|
    US9373522B1|2015-01-22|2016-06-21|Applied Mateials, Inc.|Titanium nitride removal|
    US9449846B2|2015-01-28|2016-09-20|Applied Materials, Inc.|Vertical gate separation|
    US9728437B2|2015-02-03|2017-08-08|Applied Materials, Inc.|High temperature chuck for plasma processing systems|
    US9881805B2|2015-03-02|2018-01-30|Applied Materials, Inc.|Silicon selective removal|
    US9691645B2|2015-08-06|2017-06-27|Applied Materials, Inc.|Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems|
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    US10504700B2|2015-08-27|2019-12-10|Applied Materials, Inc.|Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection|
    US10504754B2|2016-05-19|2019-12-10|Applied Materials, Inc.|Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection|
    US10522371B2|2016-05-19|2019-12-31|Applied Materials, Inc.|Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection|
    US9865484B1|2016-06-29|2018-01-09|Applied Materials, Inc.|Selective etch using material modification and RF pulsing|
    US10629473B2|2016-09-09|2020-04-21|Applied Materials, Inc.|Footing removal for nitride spacer|
    US10062575B2|2016-09-09|2018-08-28|Applied Materials, Inc.|Poly directional etch by oxidation|
    US9934942B1|2016-10-04|2018-04-03|Applied Materials, Inc.|Chamber with flow-through source|
    US9721789B1|2016-10-04|2017-08-01|Applied Materials, Inc.|Saving ion-damaged spacers|
    US10062585B2|2016-10-04|2018-08-28|Applied Materials, Inc.|Oxygen compatible plasma source|
    US10546729B2|2016-10-04|2020-01-28|Applied Materials, Inc.|Dual-channel showerhead with improved profile|
    US10062579B2|2016-10-07|2018-08-28|Applied Materials, Inc.|Selective SiN lateral recess|
    US9947549B1|2016-10-10|2018-04-17|Applied Materials, Inc.|Cobalt-containing material removal|
    US9768034B1|2016-11-11|2017-09-19|Applied Materials, Inc.|Removal methods for high aspect ratio structures|
    US10163696B2|2016-11-11|2018-12-25|Applied Materials, Inc.|Selective cobalt removal for bottom up gapfill|
    US10242908B2|2016-11-14|2019-03-26|Applied Materials, Inc.|Airgap formation with damage-free copper|
    US10026621B2|2016-11-14|2018-07-17|Applied Materials, Inc.|SiN spacer profile patterning|
    US10566206B2|2016-12-27|2020-02-18|Applied Materials, Inc.|Systems and methods for anisotropic material breakthrough|
    US10403507B2|2017-02-03|2019-09-03|Applied Materials, Inc.|Shaped etch profile with oxidation|
    US10431429B2|2017-02-03|2019-10-01|Applied Materials, Inc.|Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity|
    US10043684B1|2017-02-06|2018-08-07|Applied Materials, Inc.|Self-limiting atomic thermal etching systems and methods|
    US10319739B2|2017-02-08|2019-06-11|Applied Materials, Inc.|Accommodating imperfectly aligned memory holes|
    US10319649B2|2017-04-11|2019-06-11|Applied Materials, Inc.|Optical emission spectroscopyfor remote plasma monitoring|
    US10497579B2|2017-05-31|2019-12-03|Applied Materials, Inc.|Water-free etching methods|
    US10049891B1|2017-05-31|2018-08-14|Applied Materials, Inc.|Selective in situ cobalt residue removal|
    US10541246B2|2017-06-26|2020-01-21|Applied Materials, Inc.|3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling|
    US10727080B2|2017-07-07|2020-07-28|Applied Materials, Inc.|Tantalum-containing material removal|
    US10541184B2|2017-07-11|2020-01-21|Applied Materials, Inc.|Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching|
    US10354889B2|2017-07-17|2019-07-16|Applied Materials, Inc.|Non-halogen etching of silicon-containing materials|
    US10170336B1|2017-08-04|2019-01-01|Applied Materials, Inc.|Methods for anisotropic control of selective silicon removal|
    US10043674B1|2017-08-04|2018-08-07|Applied Materials, Inc.|Germanium etching systems and methods|
    US10297458B2|2017-08-07|2019-05-21|Applied Materials, Inc.|Process window widening using coated parts in plasma etch processes|
    US10283324B1|2017-10-24|2019-05-07|Applied Materials, Inc.|Oxygen treatment for nitride etching|
    US10128086B1|2017-10-24|2018-11-13|Applied Materials, Inc.|Silicon pretreatment for nitride removal|
    US10256112B1|2017-12-08|2019-04-09|Applied Materials, Inc.|Selective tungsten removal|
    US10679870B2|2018-02-15|2020-06-09|Applied Materials, Inc.|Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus|
    TW201941300A|2018-02-28|2019-10-16|美商應用材料股份有限公司|形成氣隙的系統及方法|
    US10593560B2|2018-03-01|2020-03-17|Applied Materials, Inc.|Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment|
    US10319600B1|2018-03-12|2019-06-11|Applied Materials, Inc.|Thermal silicon etch|
    US10497573B2|2018-03-13|2019-12-03|Applied Materials, Inc.|Selective atomic layer etching of semiconductor materials|
    US10573527B2|2018-04-06|2020-02-25|Applied Materials, Inc.|Gas-phase selective etching systems and methods|
    US10490406B2|2018-04-10|2019-11-26|Appled Materials, Inc.|Systems and methods for material breakthrough|
    US10755941B2|2018-07-06|2020-08-25|Applied Materials, Inc.|Self-limiting selective etching systems and methods|
    US10672642B2|2018-07-24|2020-06-02|Applied Materials, Inc.|Systems and methods for pedestal configuration|
    法律状态:
    1989-04-20| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): KR US |
    1989-04-20| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): DE GB NL |
    1989-06-14| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1988908981 Country of ref document: EP |
    1989-10-18| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1988908981 Country of ref document: EP |
    1995-05-24| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1988908981 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP62/257429||1987-10-14||
    JP62257429A|JPH0719755B2|1987-10-14|1987-10-14|プラズマｃｖｄによる薄膜形成方法|
    JP62/257430||1987-10-14||
    JP25743087A|JPH07118460B2|1987-10-14|1987-10-14|プラズマｃｖｄ装置|
    JP62/288325||1987-11-17||
    JP62288325A|JPH01130517A|1987-11-17|1987-11-17|Plasma cvd device|
    JP62/194548U||1987-12-22||
    JP19454887U|JPH058673Y2|1987-12-22|1987-12-22||
    JP32574887A|JPH0517698B2|1987-12-23|1987-12-23||
    JP62/325748||1987-12-23||EP88908981A| EP0336979B1|1987-10-14|1988-10-14|Apparatus for thin film formation by plasma cvd|
    KR8970595A| KR930003136B1|1987-10-14|1988-10-14|프라즈마 cvd에 의한 박막 형성장치|
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